Substrat SiC
Description
Le carbure de silicium (SiC) est un composé binaire du groupe IV-IV, c'est le seul composé solide stable du groupe IV du tableau périodique. C'est un semi-conducteur important.Le SiC possède d'excellentes propriétés thermiques, mécaniques, chimiques et électriques, ce qui en fait l'un des meilleurs matériaux pour la fabrication de dispositifs électroniques à haute température, haute fréquence et haute puissance. Le SiC peut également être utilisé comme matériau de substrat. pour les diodes électroluminescentes bleues à base de GaN.À l'heure actuelle, le 4H-SiC est le produit principal sur le marché et le type de conductivité est divisé en type semi-isolant et type N.
Propriétés
| Article | 2 pouces 4H type N | ||
| Diamètre | 2 pouces (50,8 mm) | ||
| Épaisseur | 350+/-25um | ||
| Orientation | hors axe 4,0˚ vers <1120> ± 0,5˚ | ||
| Orientation plate principale | <1-100> ± 5° | ||
| Appartement Secondaire Orientation | 90,0˚ CW à partir du plat principal ± 5,0˚, Si face vers le haut | ||
| Longueur à plat primaire | 16 ± 2,0 | ||
| Longueur plate secondaire | 8 ± 2,0 | ||
| Grade | Qualité de production (P) | Note de recherche (R) | Note factice (D) |
| Résistivité | 0,015~0,028 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm | < 0,1 Ω·cm |
| Densité des microtuyaux | ≤ 1 microtuyaux/ cm² | ≤ 1 0microtuyaux/ cm² | ≤ 30 microtuyaux/ cm² |
| Rugosité de surface | Face Si CMP Ra <0,5 nm, Face C Ra <1 nm | N/A, surface utilisable > 75 % | |
| TTV | <8 um | <10um | < 15 um |
| Arc | < ±8 um | < ±10um | < ±15um |
| Chaîne | < 15 um | < 20 um | < 25 um |
| Fissures | Aucun | Longueur cumulée ≤ 3 mm | Longueur cumulée ≤10mm, |
| Rayures | ≤ 3 rayures, cumulées | ≤ 5 rayures, cumulées | ≤ 10 rayures, cumulées |
| Plaques hexagonales | maximum 6 assiettes, | maximum 12 assiettes, | N/A, surface utilisable > 75 % |
| Zones de polytypes | Aucun | Superficie cumulée ≤ 5% | Superficie cumulée ≤ 10% |
| Contamination | Aucun | ||
