Substrat PMN-PT
Description
Le cristal PMN-PT est connu pour son coefficient de couplage électromécanique extrêmement élevé, son coefficient piézoélectrique élevé, sa déformation élevée et sa faible perte diélectrique.
Propriétés
| Composition chimique | (PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x : (PbTiO3)x |
| Structure | R3m, rhomboédrique |
| Treillis | a0 ~ 4,024Å |
| Point de fusion（℃） | 1280 |
| Densité (g/cm3) | 8.1 |
| Coefficient piézoélectrique d33 | >2000 PC/N |
| Perte diélectrique | tand<0,9 |
| Composition | près de la limite de phase morphotrope |
Définition du substrat PMN-PT
Le substrat PMN-PT fait référence à un film mince ou à une tranche en matériau piézoélectrique PMN-PT.Il sert de base de support ou de fondation pour divers appareils électroniques ou optoélectroniques.
Dans le contexte du PMN-PT, un substrat est généralement une surface plane et rigide sur laquelle de fines couches ou structures peuvent être cultivées ou déposées.Les substrats PMN-PT sont couramment utilisés pour fabriquer des dispositifs tels que des capteurs piézoélectriques, des actionneurs, des transducteurs et des récupérateurs d'énergie.
Ces substrats fournissent une plate-forme stable pour la croissance ou le dépôt de couches ou de structures supplémentaires, permettant aux propriétés piézoélectriques du PMN-PT d'être intégrées dans les dispositifs.Les substrats PMN-PT en couche mince ou en tranche peuvent créer des dispositifs compacts et efficaces bénéficiant des excellentes propriétés piézoélectriques du matériau.
Produits connexes
L'appariement de treillis élevé fait référence à l'alignement ou à l'appariement de structures en treillis entre deux matériaux différents.Dans le contexte des semi-conducteurs MCT (tellure de mercure et de cadmium), une adaptation de réseau élevée est souhaitable car elle permet la croissance de couches épitaxiales de haute qualité et sans défauts.
Le MCT est un matériau semi-conducteur composé couramment utilisé dans les détecteurs infrarouges et les dispositifs d'imagerie.Pour maximiser les performances du dispositif, il est essentiel de développer des couches épitaxiales MCT qui correspondent étroitement à la structure de réseau du matériau de substrat sous-jacent (généralement CdZnTe ou GaAs).
En obtenant une correspondance de réseau élevée, l'alignement des cristaux entre les couches est amélioré et les défauts et les contraintes à l'interface sont réduits.Cela conduit à une meilleure qualité cristalline, à des propriétés électriques et optiques améliorées et à des performances améliorées du dispositif.
Une correspondance de réseau élevée est importante pour les applications telles que l'imagerie et la détection infrarouge, où même de petits défauts ou imperfections peuvent dégrader les performances de l'appareil, affectant des facteurs tels que la sensibilité, la résolution spatiale et le rapport signal/bruit.
